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新型非晶硅有源寻址面阵图像传感器
文章所属栏目:成功案例 文章加入时间:2009年8月24日9:23

【 申 请 号 】 CN98249026 

【 发明名称 】 新型非晶硅有源寻址面阵图像传感器 

【 权利要求 】 一种新型非晶硅有源寻址面阵图像传感器,它主要包括下玻璃板衬底(1)、上玻璃板(2)、密封胶圈(3)、薄膜图像传感器矩阵(18),上玻璃板(2)、下玻璃板衬底(1)、密封胶圈(3)构成密封盒(4),薄膜图像传感器矩阵(18)位于下玻璃板衬底(1)上,密封盒(4)内充满氮气,其特征在于:    薄膜图像传感器矩阵(18)中的一个结构单元是包括金属钽栅线(5)、非晶氮化硅绝缘层(6)、本征氢化非晶硅层(7)、n型氢化非晶硅层(8)、氧化铟锡透明导电层(9)、钼铝合金漏金属电极(10)、钼铝合金源金属电极(11)、第一聚酰亚胺绝缘层(12)、p型氢化非晶硅层(13)、本征氢化非晶硅层(14)、n型氢化非晶硅层(15)、第二聚酰亚胺绝缘层(16)、铝金属电极(17)、p型氢化非晶硅层(21)和本征氢化非晶硅层(22)组成;金属钽栅线(5)在下玻璃板衬底(1)的上面;非晶氮化硅绝缘层(6)沉积在下玻璃板衬底(1)和金属钽栅线(5)之上;本征氢化非晶硅层(7)沉积在非晶氮化硅绝缘层(6)上,并位于金属钽栅线(5)和非晶氮化硅绝缘层(6)上形成硅岛图形;n型氢化非晶硅层(8)在本征氢化非晶硅层(7)上的两个边缘处,与金属钽栅线(5)有交叠;氧化铟锡透明导电层(9)在金属钽栅线(5)的右侧,并位于非晶氮化硅绝缘层(6)的上边;钼铝双金属漏电极(10)一端位于左边的n型氢化非晶硅层(8)的上边,另一端与面阵图像传感器矩阵的数据读取电极引线(20)相连;钼铝双金属源电极(11)一端位于右边n型氢化非晶硅层(8)之上,另一端与氧化铟锡透明导电层(9)相连;第一聚酰亚胺绝缘层(12)位于本征氢化非晶层(7)、钼铝双金属漏电极(10)、钼铝双金属源电极(11)和非晶氮化硅绝缘层(6)之上,只在氧化铟锡透明导电层(9)上的用于沉积光敏感像元区部分设有第一聚酰亚胺绝缘层(12);p型氢化非晶硅层(13)在氧化铟锡透明导电层(9)处的光敏感像元区之上;本征氢化非晶硅层(14)位于p型氢化非晶硅层(13)之上;n型氢化非晶硅层(15)位于本征氢化非晶硅层(14)的上边;p型氢化非晶硅层(21)在第一聚酰亚胺绝缘层(12)的上方;本征氢化非晶硅层(22)在p型氢化非晶硅层(21)的正上方;第二聚酰亚胺绝缘层(16)在光敏感像元区(n型氢化非晶硅层(15))以外部分的上边;铝金属电极(17)覆在n型氢化非晶硅层(15)和第二聚酰亚胺绝缘层(16)的上边。 

【公开/公告号】  CN2359842 

【公开/公告日】  2000.01.19 

【 发 明 人 】  赵颖、熊绍珍、周桢华、吴春亚 

【 申 请 人 】  南开大学 

【 法律状态 】  授权 

【最终结案结果】  未交年费终止 

文章出处:西安智大知识产权代理事务所
文章作者:西安智大知识产权代理事务所
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